長期回收內存芯片之如何打斷芯片壟斷

長期回收內存芯片之如何打斷芯片壟斷

目前在全球的消費電子市場上，存儲器是名副其實的電子行業“原材料”。如果再將存儲器細分，又可分為DRAM、NAND Flash與Nor Flash三種。

投資存儲芯片領域1500億美元，我國幾乎表明了自給自足的決心。目前國內已有三家企業已經進入這一領域，合肥長鑫和長江存儲分別在DRAM和NAND FLASH技術工藝的擴展和發展。福建晉華曾經是第三家，但由于美國商務部對其DRAM設備、器件的禁售，導致其暫陷入困境。

紫光集團是中國發展存儲芯片的領頭羊，成立長江存儲，研發、生存NAND閃存，還有做DDR內存的紫光國微等子公司。

根據長江存儲和合肥長鑫的產品發展路線圖。到2020年，長江存儲直接跳躍到128層3D NAND的目標，并消除從64層到128層的過程，且繞開主要NAND制造商生產的96層閃存芯片。到2021年，分別在NAND FLASH和DRAM的產品研發進度上取得突破，后者將完成17nm的研發。

存儲器領域經過幾十年的發展，由全球六家公司控制，分別為三星，東芝，美光，西部數據，SK海力士和英特爾。DRAM市場更加集中，只有三家公司生產幾乎所有的DRAM芯片。它們分別是三星，SK海力士和美光。

反觀國內，長江存儲著力于NAND FLASH的生產，合肥長鑫致力于DRAM的生產。

除武漢和合肥外，我國另外三個城市也正在建設存儲器工廠。同時，晉江也可能會開始DRAM生產，但是目前由于法律問題，參與其中的公司福建晉華目前處于困境。

隨著國內半導體產業投入的加大，國內存儲器行業也將迎來加速發展，雖然在短期內難以撼動三星、SK海士力以及鎂光三足鼎立的局面，但未來憑借國內龐大的內需市場、良好的開發能力，以及具國際水準的產能，必將在全球半導體產業擁有一席之地。